亚成微PD快充功率集成拟议介绍及展示

要内外的真空距离。

GaN是颗粒带电的转速电路，整个；不热电在封装颗粒，通风所设计和传统VD MOS不同。MOS漏极在内侧，可以钢材或带电胶粘合，通过内侧焊盘导热。GaN只不过需要颗粒的通风两处理，亚成微采行石柱倒装工艺，从颗粒通风联接到通风焊盘上，必要有越来越小的热阻。内外采行扇出型嵌入，走线窄度和每条可以所设计，必要了嵌入疑虑不就会再次出现风险，必要大转速电路社会活动的有利于可靠。嵌入为叠层所设计，类似PCB走线，同时还可以通过改变走线窄度必要大转速的新宁流特性。

亚成微30W合封GaN PD元件解决方案，采行了亚成微自研的嵌入电子技术，采行DFN5*6嵌入，向外补足，理论上下降了成本。采行QR社会活动方式，内外可用700V真空重启，支持者130KHz延迟短时间，可用抖频电子技术，可用斜坡补偿金，可用多种保护功能性。

下面是亚成微定时逆变器的转速可用其产品，亚成微30W至少的其产品采行SO8嵌入，40-65W以上采行DFN5*6嵌入，理论上解决大转速定时逆变器的通风疑虑。两款定时逆变器集成电路均支持者很低较差侧用于，支持者DCM/QR/CCM社会活动方式也，具备10nS超快关断延时和25ns超短死区短时间，支持者最很低350KHz延迟短时间。

亚成微65W铟镱合封其产品的EMI测试结果，将转速电路与控制器合封在四人，没有向外电路的反之亦然和调控，在开；不初期通过液压所设计构建，必要其产品在合封下即便如此具备优异的EMI显出。

亚成微AC-DC其产品路线图，都有现有已原型车的双并联转速可用解决方案以及65W和30W可用GaN的转速可用解决方案，副边定时逆变器集成电路，近期亚成微就会；不布很低频GaN闪存和ACFCore其产品。

充电头网总结

亚成微通过将转速电路和控制器反之亦然，并则有以此嵌入，；不布了自有的转速可用解决方案，亚成微的转速可用解决方案可下降幼虫值，简化向外元件数量，充分利用较差成本，很低可靠性，很低效率的需要。

亚成微一般来说的嵌入电子技术，采行扇出型的3D嵌入电子技术，可以理论上避开塌丝、冲丝、胶丝的风险以及必要内外的真空距离，必要集成电路的一直社会活动可靠性。在合封GaN集成电路上采行倒装电子技术立体化石柱联接，符合铟镱特性，可下降集成电路热阻下降温升。此外，亚成微还展示了基于合封GaN转速可用集成电路+定时逆变器转速可用集成电路的65W、30W很低转速密度快充解决方案。

之外阅读：

1、祝贺下个爆；不点，亚成微均国产化33W铟镱快充解决方案该软件

2、亚成微；不布3D嵌入电子技术元件集成电路，可用MOS支持者100W快充

3、【国产主控，货源有限】亚成微65W很低转速密度铟镱快充参考所设计该软件

4、iPhone 12快充优选，亚成微20W PD解决方案该软件

5、亚成微；不布很低可用20W PD快充解决方案，专为iPhone12所设计

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